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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SPI80N03S2L-04 | OptiMOSPower-Transistor OptiMOS®Power-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •LogicLevel •ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | ||
OptiMOSPower-Transistor OptiMOS®Power-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •LogicLevel •ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | |||
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N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件:962.15 Kbytes Page:7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 |
SPI80N03S2L-04产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPI80N03S2L-04
- 功能描述
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
OptiMOS™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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infineon |
2020+ |
P-TO262-3-1 |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2022 |
T0-262 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
INF |
22+ |
TO-262 |
9500 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
Infineon |
2231+ |
T0-262 |
6283 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
TO-220-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
INFINEON |
08+(pbfree) |
P-TO262-3-1 |
8866 |
||||
INFINEON |
23+ |
P-TO262-3-1 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
Infineon |
24+ |
T0-262 |
6283 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
P-TO262-3-1 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
SPI80N03S2L-04规格书下载地址
SPI80N03S2L-04参数引脚图相关
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2019-10-14
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