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N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRITION •Ultraloweffectivecapacitance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

CoolMOSPowerTransistor

Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

CoolMOSPowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件:1.71683 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-5-20 22:30:01
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    联系人:刘冬英 电话:0755-83203002 手机:18138231376 QQ号:1546282226、微信号:18138231376 公司名称:深圳市光华微科技有限公司 ShenzhenGuanghuaMicroTechnologyCo.,Ltd 公司地址:深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室

    2019-10-14