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SNN10R10LF

N-ChTrenchMOSFET

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KODENSHIKodenshi Group

可天士可天士光电子集团

KODENSHI

N-ChTrenchMOSFET

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KODENSHIKodenshi Group

可天士可天士光电子集团

KODENSHI

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,64A,RDS(ON)=9.6mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=15.5mW@VGS=6V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,65A,RDS(ON)=9.4mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=14mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS
更新时间:2024-5-20 18:50:00
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