型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SIR812DP-T1-GE3

N-Channel30V(D-S)MOSFET

文件:160.14 Kbytes Page:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

SIR812DP-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIR812DP-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-16 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
22+
SO-8
100000
代理渠道/只做原装/可含税
VISHAY/威世
22+
QFN-8
25000
只有原装绝对原装,支持BOM配单!
VISHAY/威世
23+
PowerPAKSO-8
22820
原装正品,支持实单
VISHAY
QFN
699839
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
Vishay(威世)
23+
N/A
11800
VISHAY
2230+
QFN8
6667
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
VISHAY(威世)
23+
PowerPAK-SO-8
9908
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
VISHAY
21+
QFN
278
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VISHAY/威世
23+
NA/
8639
原厂直销,现货供应,账期支持!
VISHAY/威世
22+21+
PowerPAKSO-8
3015
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品

SIR812DP-T1-GE3芯片相关品牌

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