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SIDR500EP-T1-RE3

N-Channel30V(D-S)175째CMOSFET

FEATURES •TrenchFET®GenVpowerMOSFET •VerylowRDSxQgfigure-of-merit(FOM) •Enableshigherpowerdensitywithverylow RDS(on)andthermallyenhancedcompact package •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?999

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
更新时间:2024-5-20 18:22:00
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