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SI8809EDB-T2-E1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI8809EDB-T2-E1

  • 功能描述

    MOSFET 20V 2.6A 0.9W 90mOhms @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-15 11:25:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI/德州仪器
24+
11UCSP
3000
假一赔百原装正品价格优势实单可谈
Vishay/威世
2021/2022+
NA
6500
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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22+
BGA4
15000
原厂原装,价格优势!13246658303
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23+
4XFBGA
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
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23+
NA/
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16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量
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SI8809EDB-T2-E1芯片相关品牌

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