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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI5513DC-T1-E3 | Complementary20-V(D-S)MOSFET 文件：83.6 Kbytes Page：7 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  |   |
SI5513DC-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI5513DC-T1-E3
- 功能描述
MOSFET 20V 4.2/2.9A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2024-6-5 11:46:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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23+ |
NA |
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VISHAY |
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SOT23-8 |
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全新原装 公司现货 |
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SOP |
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VISHAY/威世 |
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SI5351A，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
2021-8-20Si5348B-D-GM
LVCMOS,LVDS,LVPECL时钟合成器/抖动清除器,6Output时钟合成器/抖动清除器,+125C-40C时钟合成器/抖动清除器,932SQL450时钟合成器/抖动清除器,1Output时钟合成器/抖动清除器,1570MHz时钟合成器/抖动清除器
2020-7-8
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