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SI4465DY	P-Channel1.8-V(G-S)MOSFET 文件：61.58 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
SI4465DY	P-Channel1.8-V(G-S)MOSFET 文件：78.96 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
SI4465DY-T1	P-Channel1.8-V(G-S)MOSFET 文件：78.96 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
SI4465DY-T1-E3	P-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：991.51 Kbytes Page：9 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
FDS4465	P-Channel1.8VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(1.8V–8V). Features •–13.5A,–20V. RDS(ON)=8.5	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
4465CF	Hygro-Thermometers 文件：232.37 Kbytes Page：8 Pages	EXTECHExtech Instruments Corporation. Extech Instruments Corporation.
F4465	SAWBandpassFilter 文件：320.7 Kbytes Page：7 Pages	ITFIntegrated Technology Future Integrated Technology Future
FDS4465	P-Channel1.8VSpecifiedPowerTrench??MOSFET 文件：371.17 Kbytes Page：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
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SI4465DY产品属性

类型
描述
型号
SI4465DY
功能描述
MOSFET 8V 14A 2.5W
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2024-4-27 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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制造商:Vishay 产品种类:MOSFET RoHS:详细信息技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:SO-8 商标名:TrenchFET 封装:CutTape 封装:Reel 高度:1.75mm 长度:4.9mm 系列:SI4 宽度:3.9mm 商标:Vishay/Siliconix CNHTS:8541210000 HTS代码:8541210095 MXHTS:854
2019-3-19

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