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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI2301DS-T1 | P-Channel1.25-W,2.5-VMOSFET PRODUCTSUMMARY VDS(V) rDS(on)(Ω) ID(A) -20 0.130@VGS=-4.5V -2.3 0.190@VGS=-2.5V -1.9 | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  |   |
P-Channel20-V(D-S)MOSFET 文件：1.035119 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
SI2301DS-T1产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI2301DS-T1
- 功能描述
MOSFET 20V 2.3A 1.25W
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2024-6-4 11:42:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILICONIX |
0149- |
1450 |
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N/A |
54000 |
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VISHAY |
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SOT-23 |
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SOT-23 |
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VISHAY |
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SOT-23 |
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SAMSUNG |
23+ |
SOP |
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SILICONI |
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SMD3SOT |
5000 |
原装现货,优势热卖 |
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