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SHN1B01FDW1T1G	ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor PNPandNPNSurfaceMount Features •HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=200mA •HighhFE:hFE=200~400 •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating ♦HumanBodyModel:3A ♦MachineModel:C •SPrefixforAutomo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
HN1B01FDW1T1	ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistorPNPandNPNSurfaceMount ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor PNPandNPNSurfaceMount Features •HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=200mA •HighhFE:hFE=200~400 •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating−HumanBodyModel:3A −MachineModel:C •Pb−F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
HN1B01FDW1T1G	ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistorPNPandNPNSurfaceMount ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor PNPandNPNSurfaceMount Features •HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=200mA •HighhFE:hFE=200~400 •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating−HumanBodyModel:3A −MachineModel:C •Pb−F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
HN1B01FDW1T1G	ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor PNPandNPNSurfaceMount Features •HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=200mA •HighhFE:hFE=200~400 •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating ♦HumanBodyModel:3A ♦MachineModel:C •SPrefixforAutomo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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更新时间：2024-5-28 18:30:00

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深圳市华博特电子有限公司	SHN1B01FDW1T1G	ONSEMI	23/22+	NA	9000	代理渠道.实单必成	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SHN1B01FDW1T1G	onsemi(安森美)	23+	SC-74-6	3022	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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深圳廊盛科技有限公司	SHN1B01FDW1T1G	ON/安森美	2022	SC-74	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
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SHR-12V-S 连接器 - 外壳插座天然 0.039"（1.00mm）