位置：首页 > IC中文资料第4288页 > SGR20N40LTM
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SGR20N40LTM | 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT 400V 45W DPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
SMARTDISCRETESInternallyClamped,N-ChannelIGBT SMARTDISCRETESInternallyClamped,N-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresGate–EmitterESDprotection,Gate–CollectorovervoltageprotectionfromSMARTDISCRETESmonolithiccircuitryforusageasanIgnitionCoilDriver. •TemperatureCompensatedGate–C | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 |  | | |
400V,23AN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：201.28 Kbytes Page：6 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
20A竊?00VN-CHANNELMOSFET 文件：445.83 Kbytes Page：7 Pages | KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司 |  | | |
N-CHANNELPOWERMOSFET 文件：192.68 Kbytes Page：5 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
400V,20AN-ChannelMOSFET 文件：337.01 Kbytes Page：6 Pages | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 |  | |
SGR20N40LTM产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGR20N40LTM
- 功能描述
IGBT 晶体管 Dis IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ELESTA |
DIP |
899933 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
ELESTA |
2022 |
DIP8 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
JST |
2308+ |
191351 |
一级代理,原装正品,公司现货! |
||||
ON-安森美 |
24+25+/26+27+ |
TO-252-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
Fairchild仙童 |
22+ |
DPAK |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
FAIRCHILD |
1845+ |
TO252 |
5790 |
只做原装!量大可以订货!特价支持实单! |
|||
FAIRCHIL |
2023+ |
TO-252-2 |
5425 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
3000 |
自己现货 |
||||||
Fairchild仙童 |
23+ |
DPAK |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
FAIRCHI |
18+ |
TO252 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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