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SGP6N60UFDTU

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 6A 30W TO220 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

AvalancheEnergySpecified

DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.2Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleDriveRequirements

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

6.2Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET

DESCRIPTION TheUTC6N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

N-CHANNELPOWERMOSFET

文件:460.3 Kbytes Page:6 Pages

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC

N-ChannelPowerMOSFET

文件:486.21 Kbytes Page:10 Pages

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

NELLSEMI

N-Channel600V(D-S)PowerMOSFET

文件:1.0803 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SGP6N60UFDTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGP6N60UFDTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-25 17:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
869
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存
FAIRCHILD/仙童
2022
TO-220
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
FAIRCHILD
TO-220
37526
只做原装货值得信赖
ON-安森美
24+25+/26+27+
TO-220-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
FAIRCHILD/仙童
22+
TO-220
25000
只做原装进口现货,专注配单
JINGDAO
23/22+
SOD-323
5000
代理渠道.实单必成
3000
自己现货
Fairchild仙童
23+
TO-TO-220
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
FAIRCHILD
NA
8600
原装正品,欢迎来电咨询!
FAIRCHILD/仙童
23+
NA/
1000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

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