SGP23N60UFTU价格

参考价格:¥6.5780

型号:SGP23N60UFTU 品牌:Fairchild 备注:这里有SGP23N60UFTU多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SGP23N60UFTU批发/采购报价,SGP23N60UFTU行情走势销售排行榜,SGP23N60UFTU报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SGP23N60UFTU

LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.1V@IC=12A

GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeedswi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
SGP23N60UFTU

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 23A TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

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FujiFUJI CORPORATION

株式会社FUJI

Fuji

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

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FujiFUJI CORPORATION

株式会社FUJI

Fuji

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

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FujiFUJI CORPORATION

株式会社FUJI

Fuji

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件:324.14 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

文件:576.1 Kbytes Page:5 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社FUJI

Fuji

SGP23N60UFTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGP23N60UFTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-25 16:33:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
1741
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存
FSC
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TO-220
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FAIRCHILD/仙童
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Fairchild仙童
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TO-TO-220-3
12300
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