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SGP23N60UFDTU价格
参考价格：￥6.7364
型号：SGP23N60UFDTU 品牌：FAIRCHILD 备注：这里有SGP23N60UFDTU多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SGP23N60UFDTU批发/采购报价，SGP23N60UFDTU行情走势销售排行榜，SGP23N60UFDTU报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SGP23N60UFDTU | 封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 23A 100W TO220 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET 文件：585.96 Kbytes Page：5 Pages | FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ |  | | |
N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET 文件：585.01 Kbytes Page：5 Pages | FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ | | | |
N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET 文件：592.4 Kbytes Page：5 Pages | FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ | | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：324.14 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET 文件：576.1 Kbytes Page：5 Pages | FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ | | |
SGP23N60UFDTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGP23N60UFDTU
- 功能描述
IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
20+ |
SMD |
1000 |
原装现货 |
|||
ON |
21+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ON |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
|||||
原厂原包 |
2022+ |
原装 |
38560 |
原装进口现货,工厂客户可以放款。17377264928微信同 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
TO-220 |
5590 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
FS |
22+ |
NA |
30000 |
原装现货假一罚十 |
|||
ON |
21+ |
TO-220 |
2000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
SMD |
9000 |
原装正品 |
|||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
|||||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220 |
3600 |
只做原装只有原装假一罚百可开增值税票 |
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SGP23N60UFDTU规格书下载地址
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