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位置：首页 > IC中文资料第2358页 > SGP13N60UFTU

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SGP13N60UFTU

Ultra-FastIGBT

GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeedswi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
SGP13N60UFTU

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 13A 60W TO220 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
13N60

N-ChannelPowerMOSFET

DESCRIPTION Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepowersupplies.DCtoDCconverters,PWMmotorcontrols,bridgecircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications.TheNell13N60isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof13A,fastswitch

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

NELLSEMI
FCP13N60N

N-ChannelMOSFET600V,13A,0.258廓

Description TheSupreMOSMOSFET,Fairchild’snextgenerationofhighvoltagesuper-junctionMOSFETs,employsadeeptrenchfillingprocessthatdifferentiatesitfromprecedingmulti-epibasedtechnologies.Byutilizingthisadvancedtechnologyandpreciseprocesscontrol,SupreMOSprovidesworld

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FCPF13N60NT

N-ChannelMOSFET600V,13A,0.258廓

Description TheSupreMOSMOSFET,Fairchild’snextgenerationofhighvoltagesuper-junctionMOSFETs,employsadeeptrenchfillingprocessthatdifferentiatesitfromprecedingmulti-epibasedtechnologies.Byutilizingthisadvancedtechnologyandpreciseprocesscontrol,SupreMOSprovidesworld

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
13N60E

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

文件：1.06712 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
FCP13N60N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：301.97 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SGP13N60UFTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGP13N60UFTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

SGP13N60UFTU供应商更多...

更新时间：2024-5-25 16:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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