型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SGP02N60

FASTIGBTINNPTTECHNOLOGY

FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SGP02N60

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

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InfineonInfineon Technologies AG

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 6A 30W TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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Infineon

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMI

NCHANNELENHANCEMENTMODE

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC

SGP02N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGP02N60

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-30 8:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEO
2020+
T0220
500
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
INFINEON
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
INFINEON/英飞凌
22+
PG-TO220-3
90084
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
INFINEON/英飞凌
22+
PG-TO220-3
90084
Infineon Technologies
23+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
INFINEON
2023+
TO-220
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
TOS
23+
DIP
50000
全新原装假一赔十
INFINEON/英飞凌
23+
NA/
100
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
INFENION
21+
TO-220
2000
原装现货
INFINEON/英飞凌
23+
TO-220
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持

SGP02N60芯片相关品牌

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