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MICROWAVEPOWERGaAsFET

FEATURES ・BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ・HIGHPOWER P1dB=48.0dBmat6.4GHzto7.2GHz ・HIGHGAIN G1dB=7.5dBat6.4GHzto7.2GHz ・LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3(MIN.)=-42dBcatPout=36.5dBm(SingleCarrierLevel) ・HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
更新时间:2024-5-29 19:42:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
22+
SMD
518000
明嘉莱只做原装正品现货
TOSHIBA/东芝
23+
111
现货供应
TOSHIBA
21+
标准封装
50
进口原装,订货渠道!
TOSHIBA
1318+
NA
23568
优势现货可17%税
TOSHIBA
23+
NA
9526
TOSHIBA/东芝
2021+
3000
十年专营原装现货,假一赔十
TOSHIBA
22+
SOP
3000
原装正品,支持实单
TOSHIBA
2018+
SMD
1680
一级代理原装进口现货
MALLORY
39
全新原装 货期两周
TOSHIBA/东芝
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势

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