SGH40N60UFDT价格

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型号:SGH40N60UFDTU 品牌:FAIRCHILD 备注:这里有SGH40N60UFDT多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SGH40N60UFDT批发/采购报价,SGH40N60UFDT行情走势销售排行榜,SGH40N60UFDT报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Ultra-FastIGBT

文件:652.49 Kbytes Page:8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 40A 160W TO3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT

ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IGBT

文件:247.74 Kbytes Page:9 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

SuperJunctionFREDFET

文件:191.93 Kbytes Page:5 Pages

ADPOW

Advanced Power Technology

ADPOW

SuperJunctionFREDFET

文件:317.04 Kbytes Page:5 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

SGH40N60UFDT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGH40N60UFDT

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-29 19:34:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
22+
6199
原厂原装,价格优势!13246658303
ON
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原装现货
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2021
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TO-3P
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onsemi(安森美)
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