位置：首页 > IC中文资料第752页 > SGH30N60RUFTU
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SGH30N60RUFTU | 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 48A 235W TO3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
BIDW30N60TInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT) GeneralInformation TheBourns®ModelBIDW30N60TIGBTdevicecombinestechnologyfromaMOSgate andabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacteris | BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士） |  | | |
LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode 文件：1.9827 Mbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | | |
ACTIVE/SYNCHRONOUSRECTIFIER 文件：672.35 Kbytes Page：15 Pages | DIODESDiodes Incorporated 达尔科技 |  | | |
N-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件：281.61 Kbytes Page：4 Pages | DACO DACO |  | | |
N-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件：264.01 Kbytes Page：4 Pages | DACO DACO | | |
SGH30N60RUFTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGH30N60RUFTU
- 功能描述
IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SEC/上优 |
12+ |
TO-3P |
91 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
SEC |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
|||||
Fairchild仙童 |
22+ |
TO-3P |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
FAIRCHILD |
ROHS |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
FSC |
TO-3P |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
TI |
23+ |
36/SMD |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
SEC |
2022 |
TO-3P |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
ON-安森美 |
24+25+/26+27+ |
TO-247-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
SEC |
23+ |
NA/ |
3346 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
TI |
铁帽 |
3000 |
自己现货 |
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