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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120CNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.Thisdevicehas | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 |  |   | |
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SGH20N120RUFDTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGH20N120RUFDTU
- 功能描述
IGBT 晶体管
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SANYO |
0214+ |
TO-252 |
354 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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哈里斯 |
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TO-247 |
3500 |
原装 |
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TO 247 |
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明嘉莱只做原装正品现货 |
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进口原装 |
23+ |
TO-252 |
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