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位置：首页 > IC中文资料第4170页 > SGH15N120RUFD

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SGH15N120RUFD

ShortCircuitRatedIGBT

GeneralDescription FairchildsRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinvertersw

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
DTGN15N120

Highruggedness,temperaturestablebehavior

GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,

DINTEK

DinTek Semiconductor Co,.Ltd

DINTEK
DTGT15N120

Softcurrentturn-offwaveforms

GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandhighavalancheruggednessforsoftswitching applicationsuchasIH(inductionheating),microwaveoven,etc. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,temperaturestablebehavior

DINTEK

DinTek Semiconductor Co,.Ltd

DINTEK
DTGT15N120P

Softcurrentturn-offwaveforms

GeneralDescription Din-TekIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergyefficiency andhighavalancheruggednessforsoftswitchingapplicationsuchas IH(inductionheating),microwaveoven,etc. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highsystemefficiency ·Softcurrentturn-offwaveforms ·E

DINTEK

DinTek Semiconductor Co,.Ltd

DINTEK
FGA15N120AND

IGBT

GeneralDescription EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANDseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheANDseriesofferssolutionsforapplicationssuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS). Features

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
BRG15N120D

Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage

文件：1.36019 Mbytes Page：9 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

SGH15N120RUFD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGH15N120RUFD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

SGH15N120RUFD供应商更多...

更新时间：2024-5-29 17:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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