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位置：首页 > IC中文资料第6599页 > SGB06N60

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SGB06N60

FastIGBTinNPT-technology

FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SGB06N60

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

文件：790.17 Kbytes Page：11 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SGB06N60_06

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SGB06N60ATMA1

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：IGBT 600V 12A 68W TO263-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
06N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
CJP06N60

PowerfiledEffectTransistor

FEATURES ◆RobustHighVoltageTermination ◆AvalancheEnergySpecified ◆Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode ◆DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ◆IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
AIHD06N60R

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

文件：1.92413 Mbytes Page：16 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
AIHD06N60RF

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

文件：1.74081 Mbytes Page：16 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon
CMT06N60

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

文件：191.5 Kbytes Page：6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC

SGB06N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGB06N60

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 6A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

SGB06N60供应商更多...

更新时间：2024-5-31 17:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SGB07N120
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SGB07N120
英飞凌
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