SGB02N60价格

参考价格:¥4.5551

型号:SGB02N60 品牌:Infineon 备注:这里有SGB02N60多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SGB02N60批发/采购报价,SGB02N60行情走势销售排行榜,SGB02N60报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SGB02N60

FASTIGBTINNPTTECHNOLOGY

FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SGB02N60

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

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InfineonInfineon Technologies AG

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封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:IGBT 600V 6A 30W TO263-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC

SGB02N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGB02N60

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-10 8:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
22+
TO-263
94832
郑重承诺只做原装进口现货
INFINEON/英飞凌
22+
PG-TO263-3
91362
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
INFINEON
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
INFINEON
2023+
D2PAK(TO
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
INFINEON/英飞凌
21+
TO-263
30000
原装现货假一赔十
INFINEON/英飞凌
22+
PG-TO263-3
91362
INFINEON/英飞凌
23+
NA/
16050
原厂直销,现货供应,账期支持!
INFINEON/英飞凌
24+
TO263
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
INFINEON
20+
TO-263
65300
一级代理/放心购买!
INFINEON/英飞凌
09+
TO-263
12800

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