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6N60	6.2Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC6N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
6N60	AvalancheEnergySpecified DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.2Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleDriveRequirements	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
6N60	N-CHANNELPOWERMOSFET 文件：460.3 Kbytes Page：6 Pages	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司
6N60	N-ChannelPowerMOSFET 文件：486.21 Kbytes Page：10 Pages	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
6N60	N-Channel600V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.0803 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

SG6N60UFPWD产品属性

类型
描述
型号
SG6N60UFPWD
功能描述
IGBT 晶体管
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压
VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V 在25
C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
封装/箱体
TO-247
封装
Tube

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更新时间：2024-5-17 22:50:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海意淼电子科技有限公司	6N60	OKI	23+	PLCC	1122	全新原装假一赔十	询价
深圳市振宏微科技有限公司	6N60	TO-220F	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
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深圳市宝芯创电子有限公司	6N60(FQFP6N60)	AAT/FSC	18+	TO-220F	5000	电解电容绝对现货库存,样品可出,量大价优	询价
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深圳市跃创芯科技有限公司	6N60	UTC/友顺	22+	TO-220	25000	只有原装绝对原装,支持BOM配单!	询价
深圳市中利达电子科技有限公司	6N60KL-TFA-T	UTC原装	22+	TO-220F	700	长源创新-只做原装---假一赔十	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	6N60	NIKOS	23+	NA/	15000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价

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2021-6-25
SG-8002DC18.432MPTB
https://hch01.114ic.com/
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这种高度集成的PWM控制器提供几个特殊的增强设计，以满足低待机低功率SMPS的电力需求。为了尽量减少待机功耗，专有的绿色模式功能，提供关断时间调制，以线性降低轻负载下的开关频率条件。这绿色模式功能，使电源供应很容易满足，即使在严格的的电源保护的要求。的BiCMOS制造工艺使减少在启动电流5uA，工作电流2毫安。为了进一步提高节能，大启动电阻可以采用。内置同步斜率补偿保证了稳定的峰值电流模式控制。专有的内部补偿规定在一个通用AC输入一个恒定的输出功率限制范围（90VAC至264VAC）。脉冲通过脉冲电流限制，确保安全运行，即使在短路。为了保护外部功率MOSFET损坏供
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