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位置：首页 > IC中文资料第3676页 > SFT13

SFT13晶体管资料

  • SFT130别名：SFT130三极管、SFT130晶体管、SFT130晶体三极管

  • SFT130生产厂家：DIT

  • SFT130制作材料：Ge-PNP

  • SFT130性质：低频或音频放大 （LF）_输出极 （E）

  • SFT130封装形式：特殊封装

  • SFT130极限工作电压：24V

  • SFT130最大电流允许值：0.5A

  • SFT130最大工作频率：<1MHZ或未知

  • SFT130引脚数：3

  • SFT130最大耗散功率：1.33W

  • SFT130放大倍数：

  • SFT130图片代号：E-74

  • SFT130vtest：24

  • SFT130htest：999900

  • SFT130atest：.5

  • SFT130wtest：1.33

  • SFT130代换 SFT130用什么型号代替：AC128K,AC153K,AC188K,AC193K,3AX55B,

SFT13价格

参考价格：￥2.3576

型号：SFT1341-C-TL-E 品牌：ON 备注：这里有SFT13多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SFT13批发/采购报价，SFT13行情走势销售排行榜，SFT13报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SFT13

1.0 AMP. Super Fast Rectifiers

文件：65.129 Kbytes Page：2 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
SFT13

1.0 AMP. Super Fast Rectifiers

文件：270.35 Kbytes Page：2 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
SFT13

1.0 AMP_Super Fast Rectifiers

文件：548.31 Kbytes Page：2 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
SFT1302

General-Purpose Switching Device Applications

General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •Motordriveapplication. •LowON-resistance. •4Vdrive.

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
SFT1327

P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance. •4Vdrive.

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
SFT1341

General-Purpose Switching Device Applications

Features •1.8Vdrive.

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
SFT1341

Single P-Channel Power MOSFET

Features •LowOn-Resistance •HighSpeedSwitching •LowGateCharge •LowGateDriveVoltage •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-freeandRoHSCompliance

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1341-E

Single P-Channel Power MOSFET

Features •LowOn-Resistance •HighSpeedSwitching •LowGateCharge •LowGateDriveVoltage •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-freeandRoHSCompliance

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1341-TL-E

Single P-Channel Power MOSFET

Features •LowOn-Resistance •HighSpeedSwitching •LowGateCharge •LowGateDriveVoltage •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-freeandRoHSCompliance

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1341-TL-W

Single P-Channel Power MOSFET

Features •LowOn-Resistance •HighSpeedSwitching •LowGateCharge •LowGateDriveVoltage •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-freeandRoHSCompliance

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1341-W

Single P-Channel Power MOSFET

Features •LowOn-Resistance •HighSpeedSwitching •LowGateCharge •LowGateDriveVoltage •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-freeandRoHSCompliance

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1342

P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •Motordriveapplication. •4Vdrive.

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
SFT1342

Power MOSFET

Features •LowOn-Resistance •HighSpeedSwitching •LowGateCharge •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-freeandRoHSCompliance

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1342

P-Channel Power MOSFET ??0V, ??2A, 62m, Single TP/TP-FA

Features •LowOn-Resistance •HighSpeedSwitching •LowGateCharge •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-freeandRoHSCompliance

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1342-E

P-Channel Power MOSFET ??0V, ??2A, 62m, Single TP/TP-FA

Features •LowOn-Resistance •HighSpeedSwitching •LowGateCharge •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-freeandRoHSCompliance

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1342-E

Power MOSFET

Features •LowOn-Resistance •HighSpeedSwitching •LowGateCharge •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-freeandRoHSCompliance

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1342-TL-E

P-Channel Power MOSFET ??0V, ??2A, 62m, Single TP/TP-FA

Features •LowOn-Resistance •HighSpeedSwitching •LowGateCharge •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-freeandRoHSCompliance

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1342-TL-E

Power MOSFET

Features •LowOn-Resistance •HighSpeedSwitching •LowGateCharge •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-freeandRoHSCompliance

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1342-TL-W

Power MOSFET

Features •LowOn-Resistance •HighSpeedSwitching •LowGateCharge •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-freeandRoHSCompliance

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1342-W

Power MOSFET

Features •LowOn-Resistance •HighSpeedSwitching •LowGateCharge •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-freeandRoHSCompliance

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1345

Power MOSFET

PowerMOSFET –100V,–11A,275mΩ,P-ChannelSingleTP/TP-FA Features •ON-resistanceRDS(on)1=210mΩ(typ.) •InputCapacitanceCiss=1020pF(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1345

Power MOSFET 100V, 11A, 275m, P-Channel Single TP/TP-FA

PowerMOSFET –100V,–11A,275mΩ,P-ChannelSingleTP/TP-FA Features •ON-resistanceRDS(on)1=210mΩ(typ.) •InputCapacitanceCiss=1020pF(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1345-H

Power MOSFET

PowerMOSFET –100V,–11A,275mΩ,P-ChannelSingleTP/TP-FA Features •ON-resistanceRDS(on)1=210mΩ(typ.) •InputCapacitanceCiss=1020pF(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1345-H

Power MOSFET 100V, 11A, 275m, P-Channel Single TP/TP-FA

PowerMOSFET –100V,–11A,275mΩ,P-ChannelSingleTP/TP-FA Features •ON-resistanceRDS(on)1=210mΩ(typ.) •InputCapacitanceCiss=1020pF(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1345-TL-H

Power MOSFET

PowerMOSFET –100V,–11A,275mΩ,P-ChannelSingleTP/TP-FA Features •ON-resistanceRDS(on)1=210mΩ(typ.) •InputCapacitanceCiss=1020pF(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1345-TL-H

Power MOSFET 100V, 11A, 275m, P-Channel Single TP/TP-FA

PowerMOSFET –100V,–11A,275mΩ,P-ChannelSingleTP/TP-FA Features •ON-resistanceRDS(on)1=210mΩ(typ.) •InputCapacitanceCiss=1020pF(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1350

General-Purpose Switching Device Applications

General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •ON-resistanceRDS(on)1=45mΩ(typ.) •InputCapacitanceCiss=590pF(typ.) •4.5Vdrive •Halogenfreecompliance

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
SFT1350

P-Channel Power MOSFET 40V, 19A, 59m, Single TP/TP-FA

Features •ON-resistanceRDS(on)1=45mΩ(typ.) •InputCapacitanceCiss=590pF(typ.) •4.5Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1350-H

P-Channel Power MOSFET 40V, 19A, 59m, Single TP/TP-FA

Features •ON-resistanceRDS(on)1=45mΩ(typ.) •InputCapacitanceCiss=590pF(typ.) •4.5Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1350-TL-H

P-Channel Power MOSFET 40V, 19A, 59m, Single TP/TP-FA

Features •ON-resistanceRDS(on)1=45mΩ(typ.) •InputCapacitanceCiss=590pF(typ.) •4.5Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
SFT1342

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：971.79 Kbytes Page：7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SFT1342-E

P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.22226 Mbytes Page：4 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
SFT1342-TL-E

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：977.84 Kbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SFT1345

General-Purpose Switching Device Applications

文件：363.93 Kbytes Page：4 Pages

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
SFT1350-E

P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.01605 Mbytes Page：4 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
SFT1350-TL-H

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：971.54 Kbytes Page：7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SFT13G

1.0 AMP. Glass Passivated Super Fast Rectifiers

文件：62.78 Kbytes Page：2 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
SFT13G

1.0 AMP. Glass Passivated Super Fast Rectifiers

文件：286.29 Kbytes Page：2 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
SFT13G

1.0AMP. Glass Passivated Super Fast Rectifiers

文件：190.7 Kbytes Page：2 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
SFT13G

Glass Passivated Super Fast Rectifiers

文件：377.74 Kbytes Page：4 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
SFT13G

封装/外壳：T-18，轴向 包装：管件 描述：DIODE GEN PURP 150V 1A TS-1 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

Taiwan Semiconductor Corporation

Taiwan Semiconductor Corporation

Taiwan Semiconductor Corporation
SFT13G A0G

封装/外壳：T-18，轴向 包装：带盒（TB） 描述：DIODE GEN PURP 150V 1A TS-1 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

Taiwan Semiconductor Corporation

Taiwan Semiconductor Corporation

Taiwan Semiconductor Corporation

SFT13产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SFT13

  • 功能描述

    整流器 1A,150V,35NS, SUPER FAST Rect

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Vishay Semiconductors

  • 产品

    Standard Recovery Rectifiers

  • 反向电压

    100 V

  • 恢复时间

    1.2 us

  • 正向连续电流

    2 A

  • 最大浪涌电流

    35 A 反向电流

  • IR

    5 uA

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    DO-221AC

  • 封装

    Reel

SFT13供应商更多...

更新时间：2024-6-1 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
SFT1350-TL-H
ON/安森美
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
询价
深圳市纳立科技有限公司
SFT1350-TL-HX
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
询价
深圳市恒凯威科技开发有限公司
SFT1342-TL-W
ON/安森美
21+
TO-252-2(DPAK)
8080
只做原装,质量保证
询价
深圳市恒诺芯科技有限公司
SFT1341-TL-E
2322+
NA
33220
无敌价格 主销品牌 正规渠道订货 免费送样!!!
询价
深圳市辰德隆电子科技有限公司
SFT1342-TL-W
ON/安森美
23+
NA
6000
原装正品,优势订货
询价
深圳市科恒伟业电子有限公司
SFT1307
SNAYO
1822+
SOT-252
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价
深圳市华博特电子有限公司
SFT1342-E
ONSEMI
23/22+
NA
9000
代理渠道.实单必成
询价
深圳宝隆芯业科技有限公司
SFT1342-TL-W
ON/安森美
23+
TO-252-2(DPAK)
36158
原装正品实单可谈 库存现货
询价
深圳市勤尚伟业电子有限公司
SFT1342-TL-W
ON
72
原装正品老板王磊+13925678267
询价
深圳市华芯源电子有限公司
SFT1345-TL-H
ON/安森美
22+
TO-252
98376
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
询价

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  • SFXG50UZ502深圳市光华微科技有限公司18138231376

    联系人：刘冬英 公司电话：0755-83203002 手机：18138231376 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室

    2019-5-6

  • SG1503T-精密2.5伏参考...

    描述这种单片集成电路是一个完全独立的精密电压参考发生器，内部装饰为±1％的准确度。需要较少比静态电流为2mA，这种装置可以提供10mA的过剩的总负载和线路引起的误差小于0.5％。另外本计画为电压精度，实现了内部修整温度系数的输出电压通常为10ppm的/°C的因此，这些提法应用关键仪器和D很好的选择到一个转换器系统。该SG1503规定工作在整个军事环境温度范围-55°C至125°C，而在SG2503是专为-25°C至85°C和0℃的商业应用SG3503至70℃特征·输出电压调整到±1％·输入电压范围

    2013-3-15

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