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ECJ-0EB1E122K中文资料

厂家型号

ECJ-0EB1E122K

文件大小

890.83Kbytes

页面数量

13

功能描述

75 HIGH LINEARITY GaAs HBT MMIC AMPLIFIER

CAP CER 1200PF 25V 10% X7R 0402

数据手册

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生产厂商

RF Micro Devices

简称

RFMD

中文名称

官网

LOGO

ECJ-0EB1E122K产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ECJ-0EB1E122K

  • 功能描述

    CAP CER 1200PF 25V 10% X7R 0402

  • RoHS

  • 类别

    电容器 >> 陶瓷

  • 系列

    ECJ

  • 标准包装

    4,000

  • 系列

    -

  • 电容

    1000pF 电压 -

  • 额定

    50V

  • 容差

    ±10%

  • 温度系数

    X7R

  • 安装类型

    表面贴装,MLCC

  • 工作温度

    -55°C ~ 125°C

  • 应用

    自动

  • 额定值

    AEC-Q200

  • 封装/外壳

    0805(2012 公制)

  • 尺寸/尺寸

    0.079 L x 0.047 W(2.00mm x 1.20mm) 高度 -

  • 座高(最大)

    -

  • 厚度(最大)

    -

  • 引线间隔

    -

  • 特点

    -

  • 包装

    带卷(TR)

  • 引线型

    -

更新时间:2024-9-20 17:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PANASONICRoHS
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RFMD相关电路图

  • RFSOLUTIONS
  • RFX
  • RHOMBUS-IND
  • RHOPOINT
  • RICHCO
  • RichTek
  • Ricoh
  • Riedon
  • RMT
  • ROCHESTER
  • ROCKCHIP
  • ROHDE

RF Micro Devices

中文资料: 4112条

美国RFMicroDevices公司china/beijing:RFMDCO.,LTD美国RFMD芯片公司RFMicroDevices成立于1991,总公司座落在北卡罗来纳州(Greensboro,NC),1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%,由一群射频设计之专业研发团队所成立,设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路(RFIntegrateCircuit)设计经验平均年资超过25年以上,设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术,例如:AlGaAs、HBTSiGe、BiCMOS、GaN、GaAspHE