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GN1L4M中文资料
GN1L4M产品属性
- 类型
描述
- 型号
GN1L4M
- 制造商
NEC
- 制造商全称
NEC
- 功能描述
MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR
更新时间：2024-5-15 14:08:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
22+ |
SOT323 |
32350 |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
|||
RENESAS |
21+ |
SOT323 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS |
2339+ |
SOT323 |
32280 |
原装现货 假一罚十！十年信誉只做原装！ |
|||
RENESAS |
2023+ |
SOT323 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
|||
RENESAS |
2023+ |
SOT323 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+/23+ |
SOT-323 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
|||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
SC-70 |
690000 |
支持实单/只做原装 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2310+ |
SOT323 |
3689 |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
21+ROHS |
SOT323 |
62938 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
SOT-323 |
货真价实,假一罚十 |
25000 |
GN1L4M 资料下载更多...
GN1L4M 芯片相关型号
- 0215.200
- 02CM250.Z
- 216.050
- 233001.
- 2CM100.Z
- 2CM200.Z
- 2CM400
- 357-018-541-178
- 357-058-540-208
- 357-058-540-212
- 357-058-540-258
- 600-32R-2B-5.5
- 6007-XXXX
- 6946100KB
- GN1L3M
- GN1L4L
- GN1L4Z
- M6NXR-4Z1-R
- M6NXR-4Z1-R/Q
- M6NXR-4Z1-R/UL
- M6NXR-5V2-R
- M6NXR-5V2-R/Q
- M6NXR-5V2-R/UL
- M6NXR-5V3-R
- M6NXR-5V3-R/Q
- M6NXR-5V3-R/UL
- M6NXR-5Z1-R
- M6NXR-5Z1-R/Q
- M6NXR-5Z1-R/UL
- TM124MBK36R-70
GN1L4M 晶体管资料
GN1L4M别名：GN1L4M三极管、GN1L4M晶体管、GN1L4M晶体三极管
GN1L4M生产厂家：NEC
GN1L4M制作材料：Si-P+R
GN1L4M性质：中速 （MS）_开关管 （SW）
GN1L4M封装形式：贴片封装
GN1L4M极限工作电压：60V
GN1L4M最大电流允许值：0.1A
GN1L4M最大工作频率：<1MHZ或未知
GN1L4M引脚数：3
GN1L4M最大耗散功率：0.15KW
GN1L4M放大倍数：
GN1L4M图片代号：H-15
GN1L4Mvtest：60
GN1L4Mhtest：999900
- GN1L4Matest：.1
GN1L4Mwtest：150
GN1L4M代换 GN1L4M用什么型号代替：DTA144EU,2SA1676,
RENESAS相关电路图
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- P80
Renesas Electronics America 瑞萨科技有限公司
中文资料: 108964条
(RENESAS)于2003年4月1日—由日立制作所半导体部门和三菱电机半导体部门合并成立。RENESAS结合了日立与三菱在半导体领域方面的先进技术和丰富经验，是无线网络、汽车、消费与工业市场设计制造嵌入式半导体的全球领先供应商。创立日期2003年4月1日公司法人董事长&CEO伊藤达业务范围单片机逻辑模拟等的系统LSI、分立半导体元件、SRAM等的存储器开发、设计、制造、销售、服务的提供。集团成员44家公司（日本20家，日本以外24家）年度销售额2006财年（截止至2007年3月）:9526亿日元（约83亿美元）从业人员：26000人（全世界20个国家、43家公司）瑞萨科技是世界十大半导体芯片
