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GN1L3Z中文资料
GN1L3Z产品属性
- 类型
描述
- 型号
GN1L3Z
- 制造商
NEC
- 制造商全称
NEC
- 功能描述
MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
23+ |
SOT323 |
63000 |
原装正品现货 |
|||
原装A |
2023+ |
SOT-323 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
NEC |
23+ |
SOT-323 |
66427 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
原装A |
23+ |
SOT-323 |
5000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
NEC-日本电气 |
24+25+/26+27+ |
SOT-323 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
原装A |
23+ |
SOT-323 |
5000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
NEC |
2008++ |
SOT-323 |
8754 |
新进库存/原装 |
|||
SOT-323 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
NEC |
2017+ |
SOT-323SC-70 |
56787 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
NEC |
2022+ |
5000 |
只做原装公司现货 |
GN1L3Z 资料下载更多...
GN1L3Z 芯片相关型号
- 021501.6MXE
- 0221010.M-ND
- 0232008.XE
- 02331.25M-ND
- 02331.25MXW-ND
- 0255.750NRT3
- 0315.150H
- 0315.750H
- 2331.25XW
- 357-032-557-101
- 357-032-557-112
- 60CDQ30
- 65E-1CL-8.25
- 6R600
- 74HC27BQ-Q100
- GN1L3N
- H315.750
- M232008.XE
- M234001XW
- M6NXR-7V2-R
- M6NXR-7V2-R/Q
- M6NXR-7V2-R/UL
- M6NXR-7V3-R
- M6NXR-7V3-R/Q
- M6NXR-7V3-R/UL
- M6NXR-7Z1-R
- M6NXR-7Z1-R/Q
- M6NXR-7Z1-R/UL
- M6NXR-9V2-R
- M6NXR-9V2-R/Q
GN1L3Z 晶体管资料
GN1L3Z别名:GN1L3Z三极管、GN1L3Z晶体管、GN1L3Z晶体三极管
GN1L3Z生产厂家:NEC
GN1L3Z制作材料:Si-P+R
GN1L3Z性质:中速 (MS)_开关管 (SW)
GN1L3Z封装形式:贴片封装
GN1L3Z极限工作电压:60V
GN1L3Z最大电流允许值:0.1A
GN1L3Z最大工作频率:<1MHZ或未知
GN1L3Z引脚数:3
GN1L3Z最大耗散功率:0.15KW
GN1L3Z放大倍数:
GN1L3Z图片代号:H-15
GN1L3Zvtest:60
GN1L3Zhtest:999900
- GN1L3Zatest:.1
GN1L3Zwtest:150
GN1L3Z代换 GN1L3Z用什么型号代替:DTA143TU,
Datasheet数据表PDF页码索引
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Renesas Electronics America 瑞萨科技有限公司
(RENESAS)于2003年4月1日—由日立制作所半导体部门和三菱电机半导体部门合并成立。RENESAS结合了日立与三菱在半导体领域方面的先进技术和丰富经验,是无线网络、汽车、消费与工业市场设计制造嵌入式半导体的全球领先供应商。创立日期2003年4月1日公司法人董事长&CEO伊藤达业务范围单片机逻辑模拟等的系统LSI、分立半导体元件、SRAM等的存储器开发、设计、制造、销售、服务的提供。集团成员44家公司(日本20家,日本以外24家)年度销售额2006财年(截止至2007年3月):9526亿日元(约83亿美元)从业人员:26000人(全世界20个国家、43家公司)瑞萨科技是世界十大半导体芯片