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芯片资料

参考价格：￥3.0821

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RSD100N10FRA	4VDriveNchMOSFET 文件：1.44014 Mbytes Page：10 Pages	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
CEB100N10L	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,92A,RDS(ON)=8.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=10.5mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
100N10B	N-ChannelPowerMOSFET 文件：583.28 Kbytes Page：5 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BR100N10	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage 文件：1.06059 Mbytes Page：6 Pages	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
BRB100N10	N-CHANNELMOSFETinaTO-263PlasticPackage 文件：893.02 Kbytes Page：6 Pages	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
BSC100N10NSFG	OptiMOS??Power-Transistor 文件：420.84 Kbytes Page：10 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

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更新时间：2024-6-15 20:00:00

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RSM002N06T2L
RSM002N06T2L
2023-5-8
RSM485M
DIP8超紧凑封装设计，体积12.8x10.2x7.7mm 全自动报文收发，告别RS485方向控制管脚带来的固件兼容问题 3.3-5V超宽电源电压，带隔离输出电源脚集信号隔离与电源隔离功能于一身，2500VDC隔离耐压最多可连接64个节点，最大波特率500kbps 极低的电磁辐射EME，极高电磁抗干扰EMS
2020-11-2
RS73F2ATTD1002B， RS73F2ATTD2002B
RS73F2ATTD1002B，RS73F2ATTD2002B
2020-6-4
RSHN-2010
单相-EMC-EMI-Line-Filter-10A-250VAC-两级-端接块
2019-12-19
RSD080P05TL
MOSFETTRNSISTR4VDRVEPCHMOSFETCPTPKG
2019-8-29
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RS8702-04B深圳市拓亿芯电子有限公司，本公司具备一般纳税人，可开16点增值税票，货源渠道保证原厂原装正品IC，诚信为本，薄利多销。
2019-3-7