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RJP60F5DPM

600V-40A-IGBTHighSpeedPowerSwitching

600V-40A-IGBTHighSpeedPowerSwitching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,

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600V-40A-IGBTHighSpeedPowerSwitching

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封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 600V 80A 45W TO-3PFM 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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600V-40A-IGBTHighSpeedPowerSwitching

Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) Highspeedswitching tf=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5,Ta=25°C,inductiveload)

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SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tr=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω

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SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

Features •Highspeedswitching •Lowon-statevoltage •Fastrecoverydiode

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RJP60F5DPM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP60F5DPM

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    600 V - 40 A - IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2024-4-29 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
瑞萨
24+
TO3PF
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
RENESAS/瑞萨
15+
ROHS
880000
明嘉莱只做原装正品现货
RENESAS-瑞萨
24+25+/26+27+
TO-247-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
RENESAS/瑞萨
23+
TO-3P
6000
原装正品,支持实单
RENESAS/瑞萨
TO-263
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
RENESAS/瑞萨
22+
TO-3P
25000
只做原装进口现货,专注配单
RENESAS
24+
TO-3P
37650
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证
RENESAS/瑞萨
23+
TO-3PF
10000
公司只做原装正品
RenesasElectronicsAmeric
2019+
TO-3PFM
65500
原装正品货到付款,价格优势!
RENESAS/瑞萨
22+
TO-3P
6000
十年配单,只做原装

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    www.hfxcom.com

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