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RJH60F6DPQ-A0-T0

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=45A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=74nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

RJH60F6DPQ-A0-T0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJH60F6DPQ-A0-T0

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2024-5-22 18:06:00
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