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RJH60F5DPQ-A0-T0

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tr=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

RJH60F5DPQ-A0-T0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJH60F5DPQ-A0-T0

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2024-6-5 17:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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