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RGT8NL65D	650V4AFieldStopTrenchIGBT 文件：1.21233 Mbytes Page：13 Pages	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
RGT8NL65DGTL	封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件描述：FIELD STOP TRENCH IGBT 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团

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更新时间：2024-5-21 17:59:00

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RH5RI301B-T1
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2020-11-13
RGF1B-E3/67A产品规格参数资料原装正品现货
RGF1B-E3/67A产品规格参数
2020-8-26
RF片上系统 - SoC NRF51822-CEAA-R 承诺百分之百原装
Wi-FiRF片上系统-SoC,BluetoothRF片上系统-SoC,BluetoothARMCortexM4RF片上系统-SoC,-104dBmBluetoothRF片上系统-SoC,STM32WB55CGRF片上系统-SoC,868MHzRF片上系统-SoC
2020-4-15
RH5RZ50CA-T1-FE原装现货
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2019-11-20
RF片上系统，ATSAMB11G18A-MU-T代理原装现货-和诺泰
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2019-8-30
RH1009-2.5V基准
描述该RH1009是通用为2.5V并联稳压器二极管设计工作在宽电流范围内，而保持与时间和温度稳定性好。该调整终端允许使用温度系数为最小化或参考电压调整不改变温度系数。因为它的运作作为一个并联稳压器可用于同样也是一个积极的或负参考。晶圆地段进行处理，凌特公司内训S级流产生电路可用在严格军事上的应用。反向击穿电流................................20mA的正向电流...................................................为10mA工作温度范围..
2013-3-15