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位置：首页 > IC中文资料第11532页 > PTFB201402FC

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
PTFB201402FC

HighPowerRFLDMOSFieldEffectTransistor140W,28V,2010-2025MHz

Description ThePTFB201402FCintegratestwo70WLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.ItisdesignedprimarilyforDohertycellularamplifierapplicationsinthe2010to2025MHzfrequencyband.ManufacturedwithWolfspeed’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermal

CreeCree Inc.

科锐科锐半导体制造商

Cree
PTFB201402FC

HighPowerRFLDMOSFieldEffectTransistor

Description ThePTFB201402FCintegratestwo70WLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.ItisdesignedprimarilyforDohertycellularamplifierapplicationsinthe2010to2025MHzfrequencyband.ManufacturedwithInfineon’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermal

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
PTFB201402FCV1R0

HighPowerRFLDMOSFieldEffectTransistor

Description ThePTFB201402FCintegratestwo70WLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.ItisdesignedprimarilyforDohertycellularamplifierapplicationsinthe2010to2025MHzfrequencyband.ManufacturedwithInfineon’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermal

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
PTFB201402FCV1R0XTMA1

HighPowerRFLDMOSFieldEffectTransistor

Description ThePTFB201402FCintegratestwo70WLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.ItisdesignedprimarilyforDohertycellularamplifierapplicationsinthe2010to2025MHzfrequencyband.ManufacturedwithInfineon’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermal

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
PTFB201402FCV1R250

HighPowerRFLDMOSFieldEffectTransistor

Description ThePTFB201402FCintegratestwo70WLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.ItisdesignedprimarilyforDohertycellularamplifierapplicationsinthe2010to2025MHzfrequencyband.ManufacturedwithInfineon’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermal

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
PTFB201402FCV1R250XTMA1

HighPowerRFLDMOSFieldEffectTransistor

Description ThePTFB201402FCintegratestwo70WLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.ItisdesignedprimarilyforDohertycellularamplifierapplicationsinthe2010to2025MHzfrequencyband.ManufacturedwithInfineon’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermal

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
PTFB201402FC-V1-R0

封装/外壳：H-37248-4 包装：卷带（TR） 描述：140W, SI LDMOS, 28V, 2010-2025MH 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

WOLFSPEED
PTFB201402FC-V1-R250

封装/外壳：H-37248-4 包装：卷带（TR） 描述：IC AMP RF LDMOS 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

WOLFSPEED
A201402CAAB

SingleRowTerminalBlocks

文件：1.88296 Mbytes Page：6 Pages

EATONEaton All Rights Reserved.

伊顿伊顿公司

EATON
A201402WRAB

SingleRowTerminalBlocks

文件：1.88296 Mbytes Page：6 Pages

EATONEaton All Rights Reserved.

伊顿伊顿公司

EATON
T201402

ALLDIMENSIONSINMM[INCH]

文件：31.76 Kbytes Page：1 Pages

E-SWITCH

E-Switch, Inc.

E-SWITCH

PTFB201402FC产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PTFB201402FC

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

PTFB201402FC供应商更多...

更新时间：2024-5-24 18:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科恒伟业电子有限公司
PTFB201402FC
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PTFB201402FC
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PTFB201402FCV1
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PTFB201402FC-V1-R0
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PTFB201402FC-V2-R250
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