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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
PTFA210601F | Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs60W,2110??2170MHz 文件：260.19 Kbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
封装/外壳：2-扁平封装，叶片引线，带法兰 包装：卷带（TR） 描述：IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
封装/外壳：2-扁平封装，叶片引线，带法兰 包装：卷带（TR） 描述：IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs60W,2110??2170MHz 文件：260.19 Kbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
PTFA210601F产品属性
- 类型
描述
- 型号
PTFA210601F
- 制造商
INFINEON
- 制造商全称
Infineon Technologies AG
- 功能描述
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 60 W, 2110 – 2170 MHz
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINE0N |
23+ |
122 |
现货供应 |
||||
INFINEON |
2017+ |
NA |
28562 |
只做原装正品假一赔十! |
|||
INFINEON |
2018+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
H372652 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
H-36265 |
1200 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
INFINEON |
22+ |
H-36265-2 |
58000 |
原装现货,OEM渠道。 |
|||
infineon |
2022 |
30 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
||||
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
TO-59.高频管 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
INFINEON |
2310+ |
NA |
3886 |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
|||
INF |
57 |
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