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位置：首页 > IC中文资料第6328页 > PTF180101

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
PTF180101

LDMOSRFPowerFieldEffectTransistor10W,1805-1880MHz,1930-1990MHz10W,2110-2170MHz

Description ThePTF180101isa10W,internally–matchedGOLDMOSFETdeviceintendedforEDGEapplicationsintheDCS/PCSband.Fullgoldmetallization ensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •TypicalEDGEperformance -Averageoutputpower=4.0W -Gain=19.0dB

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
PTF180101M

HighPowerRFLDMOSFieldEffectTransistor10W,1.0??2.0GHz

Description ThePTF180101Misanunmatched10-wattGOLDMOS®FETintendedforclassABbasestationapplicationsinthe1to2GHzband.ThisLDMOSdeviceoffersexcellentgain,efficiencyandlinearityperformanceinasmallfootprint. Features •TypicalEDGEperformance -Averageoutputpo

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
PTF180101S

LDMOSRFPowerFieldEffectTransistor10W,1805-1880MHz,1930-1990MHz10W,2110-2170MHz

Description ThePTF180101isa10W,internally–matchedGOLDMOSFETdeviceintendedforEDGEapplicationsintheDCS/PCSband.Fullgoldmetallization ensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •TypicalEDGEperformance -Averageoutputpower=4.0W -Gain=19.0dB

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
PTF180101S

LDMOSRFPowerFieldEffectTransistor10W,1805-1880MHz,1930-1990MHz10W,2110-2170MHz

Description ThePTF180101isa10W,internally–matchedGOLDMOSFETdeviceintendedforEDGEapplicationsintheDCS/PCSband.Fullgoldmetallization ensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •TypicalEDGEperformance -Averageoutputpower=4.0W -Gain=19.0dB

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
PTF180101M V1

封装/外壳：10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 包装：带 描述：IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon
PTF180101S V1

封装/外壳：H-32259-2 包装：带 描述：FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

PTF180101产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PTF180101

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz

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更新时间：2024-5-24 16:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市华斯顿科技有限公司
PTF180101S
INFINEON
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Infineon
2022
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原厂原装正品,价格超越代理
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