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PTF10009	85Watts,1.0GHzGOLDMOS??FieldEffectTransistor Description ThePTF10009isan85WattLDMOSFETintendedforlargesignalamplifierapplicationsto1.0GHz.Itoperatesat50efficiencyand13.0dBofgain.Nitridesurfacepassivationandfullgoldmetallizationareusedtoensureexcellentdevicelifetimeandreliability. •Performanceat	Ericsson Ericsson Microelectronics
HCA10009	100MHz,SingleandDualLowNoise,PrecisionOperationalAmplifier TheHCA10009isahighperformancedielectricallyisolated,opamp,featuringprecisionDCcharacteristicswhileprovidingexcellentACcharacteristics.Designedforaudio,video,andotherdemandingapplications,noise(3.4nV/√Hzat1kHz),totalharmonicdistortion( Features •GainBandwidthP	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
IG10009	IG120SERIES KeyFeatures: •OperatesWithxx962Drivers •IndependentOutputs •EN60950Approved •3,000VACIsolation •MiniatureSIPCase •>3.5MHourMTBF •SevenStandardModels •LOWCOST!!	MPD MPD (Memory Protection Devices)
IG10009D	IG120SERIES KeyFeatures: •OperatesWithxx962Drivers •IndependentOutputs •EN60950Approved •3,000VACIsolation •MiniatureSIPCase •>3.5MHourMTBF •SevenStandardModels •LOWCOST!!	MPD MPD (Memory Protection Devices)
10009	Smooth,hightorque,rollerratchethandle 文件：254.3 Kbytes Page：3 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
LBN10009	100MHzSAWFilter10MHzBandwidth 文件：139.38 Kbytes Page：3 Pages	SIPATSIPAT Co,Ltd 胜普电子重庆胜普电子有限公司

PTF10009产品属性

类型
描述
型号
PTF10009
制造商
ERICSSON
制造商全称
Ericsson
功能描述
85 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS⑩ Field Effect Transistor

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更新时间：2024-4-27 16:50:00

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