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PTAB182002TCV2R250XTMA1

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFET

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
PTAB182002TCV2R250XTMA1

封装/外壳:H-49248H-4 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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更新时间:2024-5-25 9:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
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