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PHPT61010NY	100V,10ANPNhighpowerbipolartransistor 1.Generaldescription NPNhighpowerbipolartransistorinaSOT669(LFPAK56)Surface-Mounted Device(SMD)powerplasticpackage. PNPcomplement:PHPT61010PY 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Hightemperatureapplicationsupto175°C •ReducedPrinted	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
MP61010	GaAsPINDIODES 文件：146.09 Kbytes Page：2 Pages	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
PHPT61010NY	100V,10ANPNhighpowerbipolartransistor 文件：242.7 Kbytes Page：16 Pages	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
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更新时间：2024-5-22 11:09:02

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2020-8-20
PT4558华润矽威省续流二极管，桥堆封装省VCC非隔离恒流开关芯片方案
设计调试简单，节省整体驱动成本，内置续流二极管DOB解决方案芯片-华润矽威PT4558E/PT4558F
2020-3-28
PT60108~10CellSeriesLi-ion/PolymerBatteryProtectionIC
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2019-4-27
PT6305A-正固定电压稳压器
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2013-1-13