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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
PP100T120-ND

3-PhasePOW-R-PAKIGBTAssembly100Amperes/1200Volts

Description: ThePowerexPOW-R-PAK™isaconfigurableIGBTbasedpowerassemblythatmaybeusedasaconverter,chopper,halforfullbridge,orthreephaseinverterformotorcontrol,powersupply,UPSorotherpowerconversionapplications. Features: □HighperformanceIGBTinverterbridge

POWEREX

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PP100T120

POW-R-PAK100A/1200V3phaseIGBTAssembly

Description: ThePowerexPOW-R-PAKTMisaconfigurableIGBTbasedpowerassemblythatmaybeusedasaconverter,chopper,halforfullbridge,orthreephaseinverterformotorcontrol,powersupply,UPSorotherpowerconversionapplications. Features: ■HighperformanceIGBTinverterbridge

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FGY100T120RWD

IGBT–Power,Co-PAKN-Channel,FieldStopVII(FS7),SCR,PowerTO247-3L,1200V,1.4V,100A

Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyandthe Gen7DiodeinTP2473−leadpackage,FGY100T120RWDoffersthe optimumperformancewithlowconductionlossesandgoodswitching controllabilityforahighefficiencyoperationinvariousapplications likemotorcontr

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
FGY100T120SWD

IGBT-Power,Co-PAKN-Channel,FieldStopVII(FS7),Non-SCR,TO247-3L1200V,1.7V,100A

Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyandthe Gen7DiodeinTO2473−leadpackage,FGY100T120SWDoffersthe optimumperformancewithlowswitchingandconductionlossesfor high−efficiencyoperationsinvariousapplicationslikeSolar,UPS, andESS. Features •

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
PMEG100T120ELPE

100V,12AlowleakagecurrentTrenchMEGASchottkybarrierrectifier

1.Generaldescription TrenchMaximumEfficiencyGeneralApplication(MEGA)Schottkybarrierrectifierencapsulatedin aCFP15B(SOT1289B)powerandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowforwardvoltage •LowQrrandlowIRM •Lowleakagecu

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

PP100T120-ND供应商更多...

更新时间：2024-6-6 22:30:00
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