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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP55N04SLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Channeltemperature175degreerating •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=28A) ⎯RDS(on)2=8.5mΩMAX.(VGS=5V,I | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP55N04SUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerating •Superlowon-stateresistance RDS(on)=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=28A) •Lowinputcapacitance Ciss=3400pFT | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | | |
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PHP55N04LT产品属性
- 类型
描述
- 型号
PHP55N04LT
- 功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 35V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-220AB
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
2023+ |
TO-252 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
|||
RENESAS |
20+ |
TO-252 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
RENESAS/Renesas Electronics Am |
21+ |
TO-252 |
5000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
NEC |
6000 |
面议 |
19 |
TO-252 |
|||
Renesas |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
VB |
2019 |
TO-252 |
55000 |
绝对原装正品假一罚十! |
|||
RENESAS |
2023+ |
TO-252 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
Renesas |
19+ |
TO-252 |
87449 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
|||
2322+ |
NA |
33220 |
无敌价格 主销品牌 正规渠道订货 免费送样!!! |
||||
RENESAS/瑞萨 |
TO-252 |
505348 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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2019-9-20
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