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PAL20P10C	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24) 文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
CEB20P10	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -100V,-20A,RDS(ON)=130mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED20P10	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -100V,-16A,RDS(ON)=130mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED20P10	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-100V,-16A,RDS(ON)=130mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEP20P10	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -100V,-20A,RDS(ON)=130mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEP20P10	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-100V,-20A,RDS(ON)=130mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司

PAL20P10C产品属性

类型
描述
型号
PAL20P10C
制造商
NSC
制造商全称
National Semiconductor
功能描述
Progammable Array Logic Series 24(PAL Series 24)

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更新时间：2024-5-10 11:00:00

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PAM2803，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-1

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