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型号	功能描述	生产厂家&企业
P40F10SN	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
P40F10SN	PowerMOSFET 文件：259.279 Kbytes Page：4 Pages	SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD 新电元（上海）电器有限公司
40F10RE	Ohmicone짰Silicone-CeramicConformalAxialTerm.Wirewound,1and5Tol.Std. Ohmicone®Silicone-CeramicConformal AxialTerminalWirewound 1and5ToleranceStandard Ohmite40Seriesresistorsarethemosteconomicalconformalsilicone-ceramiccoatedresistorsoffered.Theseall-weldedunitsarecharacterizedbytheirlowtemperaturecoefficientsandresistancetotherm	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
SKKD40F10	FastThyristor/DiodeModule [SEMIKRON] FastThyristor/DiodeModule	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
SKKD40F10	FastDiodeModules 文件：552.79 Kbytes Page：3 Pages	SemikronSemikron 赛米控

P40F10SN供应商更多...

更新时间：2024-5-29 15:14:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2024-2-22
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2023-5-15
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2020-3-3
P540A，P540A01，P540A02，P540A04，P540C0101，P540C0102，
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2020-3-2
P4010S
P4010S，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-15
P35-4304-000-200-模拟杂项
特点·宽带0.5-16GHz的·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的·衰减0.5dB步进到31.5分贝·开关速度快·通过提高性能的砷化镓过孔P35-4304-000-200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信，仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线，实现全衰减范围组合。模具制造，使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程（S20）。它是完全
2012-12-20