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P3NK60Z

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件:1.08664 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-channel600V,3.2Ωtyp.,2.4ASuperMESH™PowerMOSFETsinD²PAK,IPAK,DPAK,TO-220andTO-220FPpackages

Description Thesehigh-voltagedevicesareZener-protectedN-channelPowerMOSFETs developedusingtheSuperMESH™technologybySTMicroelectronics,an optimizationofthewell-establishedPowerMESH™.Inadditiontoasignificant reductioninon-resistance,thesedevicesaredesignedtoensure

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-CHANNEL600V-3.3ohm-2.4ATO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAKZener-ProtectedSuperMESH?줡owerMOSFET

DESCRIPTION TheSuperMESH™seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstripbasedPowerMESH™layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplications.Suchseri

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N-CHANNEL600V-3.3ohm-2.4ATO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAKZener-ProtectedSuperMESH?줡owerMOSFET

DESCRIPTION TheSuperMESH™seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstripbasedPowerMESH™layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplications.Suchseri

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意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

PowerMOSFET

文件:1.0762 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-5-30 17:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
23+
TO220
1563
专业优势供应
ST
20+
TO-220F
38560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
ST意法半导体
24+23+
TO-220F
12580
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
ST
TO-220
36900
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
ST
23+
TO-220
16900
正规渠道,只有原装!
S
23+
TO-220F
6000
原装正品,支持实单
ST/意法
2022
TO-220F
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
ST
1926+
TO-220F
6852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
ST
2320+
TO220
562000
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品
TO-220F
6560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

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    随时可发货

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    特点·宽带0.5-16GHz的·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的·衰减0.5dB步进到31.5分贝·开关速度快·通过提高性能的砷化镓过孔P35-4304-000-200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信,仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线,实现全衰减范围组合。模具制造,使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程(S20)。它是完全

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