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BZD27C10P	ZenerDiodeswithSurgeCurrentSpecification Features •SilliconPlanarZenerDiodes •Lowprofilesurface-mountpackage •Zenerandsurgecurrentspecification •Lowleakagecurrent •Excellentstability •Hightemperaturesoldering:260°C/10sec.atterminals •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/EC	VAISHVaishali Semiconductor Vaishali Semiconductor
BZD27C10P	VoltageRegulatorDiodes FEATURES -Siliconzenerdiodes -Lowprofilesurface-mountpackage -Zenerandsurgecurrentspecification -Lowleakagecurrent -Excellentstability -ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUandinaccordancetoWEEE2002/96/EC -Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司
BZD27C10P	800mWZENERDIODESINSOD123FLPACKAGE ThisVoltageRegulatorDiodeSerieshavebeendesignedtooperateatamaximumsteadypowerdissipationof800mW.ThisdevicecomesinthenewindustrystandardSOD123FlatLead(SOD123FL)packagemakingitsuitableforPortable/ComputingElectronics,wheretheboardspaceisapremium.Thispacka	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
BZD27C10P	VOLTAGEREGULATORDIODES FEATURES ●Silliconplanarzenerdiodes. ●Lowprofilesurface-mountpackage. ●Zenerandsurgecurrentspecification ●Lowleakagecurrent ●Excellentstability ●Hightemperaturesolderingguaranteed:265℃/10seconds,atterminals	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
BZD27C10P	VOLTAGEREGULATORDIODES 文件：126.66 Kbytes Page：4 Pages	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司

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更新时间：2024-6-2 22:59:01

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