制造商: Cree， Inc.
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
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RoHS: 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN
增益: 17 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 150 V
Id-连续漏极电流: 10 A
输出功率: 75 W
最大漏极/栅极电压: -
最小工作温度: -
最大工作温度: -
Pd-功率耗散: 41.6 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Die
封装: Gel Pack
应用: -
配置: -
高度: 100 um
长度: 3 mm
工作频率: 6 GHz
工作温度范围: -
产品: GaN HEMT
宽度: 820 um
商标: Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值: -
闸/源截止电压: -
类: -
开发套件: -
下降时间: -
NF—噪声系数: -
P1dB - 压缩点: -
产品类型: RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻: 280 mOhms
上升时间: -
工厂包装数量: 10
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: -
Vgs th-栅源极阈值电压: - 10 V， + 2 V
零件号别名: CGHV60075D5-GP4
