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LT1160价格
参考价格:¥26.3973
型号:LT1160IS#PBF 品牌:Linear 备注:这里有LT1160多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,LT1160批发/采购报价,LT1160行情走势销售排行榜,LT1160报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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LT1160 | Half-/Full-BridgeN-ChannelPowerMOSFETDrivers 文件:229.22 Kbytes Page:16 Pages | LINEAR 凌特 | ||
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封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:管件 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器 | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | |||
封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器 | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | |||
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OriginalStrainReliefBushings 文件:121.7 Kbytes Page:1 Pages | Heyco Heyco | |||
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12V,3AStep-DownDC/DCConverter 文件:662.07 Kbytes Page:17 Pages | ANALOGICTECHAdvanced Analogic Technologies 研诺科技研诺逻辑科技有限公司 | |||
USBAMALE-USBBFEMALE 文件:41.19 Kbytes Page:1 Pages | ASSMANNASSMANN WSW COMPONENTS ASSMANN WSW组件有限公司 |
LT1160产品属性
- 类型
描述
- 型号
LT1160
- 制造商
LINER
- 制造商全称
Linear Technology
- 功能描述
Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法 |
SMD |
22+ |
9814 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
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LT |
2019 |
SOP14 |
150000 |
绝对原装正品假一罚十! |
|||
LT |
SOP |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
LINEAR/凌特 |
24+ |
SOP-14 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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ADI/亚德诺 |
21+ |
SOIC-14 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
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LINEAR/凌特 |
22+ |
SOIC |
10000 |
绝对原装现货热卖 |
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ADI(亚德诺)/LINEAR |
1921+ |
SO-14 |
3575 |
向鸿仓库现货,优势绝对的原装! |
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ADI(亚德诺)/LINEAR |
2021+ |
SO-14 |
499 |
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ADI(亚德诺) |
23+ |
SOP-14 |
945 |
特价优势库存质量保证稳定供货 |
|||
LT |
23+ |
SMD |
9526 |
LT1160规格书下载地址
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LT1129MPST-3.3#PBF
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2023-3-20LT1167CS8#TRPBF
进口代理
2022-10-20LT1166CS8#PBF
www.58chip.com
2022-5-23LT1129IQ
SOT-23-3LDO稳压器,1个输出DFN-8LDO稳压器,5ALDO稳压器,1个输出固定3.8VLDO稳压器,750mA5VSMD/SMTLDO稳压器,LT3080-1LDO稳压器
2020-7-28LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述作者:LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护,防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFETVDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入,LT1158将自动关闭出现故障的事件,然后重试时,一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridgeN沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压(HV)高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护,防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件,欠压积极拉锁定驱动器输出,以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠,即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本,目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
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