SI2305CDS-T1-GE3 -8 V 5.0 A 35 Mohm 漏源导通电阻 当4.5 V时 12 nC Qg SOT-23
SI2305CDS-T1-GE3产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 8V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 5.8A
Rds（最大）@ ID，VGS 35 mOhm @ 4.4A， 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 1V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 30nC @ 8V
输入电容（Ciss）@ Vds的 960pF @ 4V
功率 - 最大 1.7W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 8 V
最大连续漏极电流 4.4 A
RDS -于 35@4.5V mOhm
最大门源电压 ±8 V
典型导通延迟时间 20 ns
典型关闭延迟时间 40 ns
典型下降时间 10 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±8
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 960
最大漏源电压 8
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 35@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
包装高度 1.02(Max)
最大连续漏极电流 4.4
封装 Tape and_Reel
铅形状 Gull-wing
P（ TOT ） 1.25W
匹配代码 SI2305CDS-T1-GE3
单位包 3000
标准的提前期 15 weeks
最小起订量 3000
极化 P-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
我（D ） 3.5A
V（ DS ） 8V
R（ DS上） 0.052Ohm
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 4.4A (Ta)， 5.8A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 8V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 35 mOhm @ 4.4A， 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 1.7W
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
输入电容（Ciss ） @ VDS 960pF @ 4V
闸电荷（Qg ） @ VGS 30nC @ 8V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2305CDS-T1-GE3CT
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
身高 1.02mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 0.035 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 0.96 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 12 nC V @ 4.5， 20 nC V @ 8
典型输入电容@ VDS 960 pF V @ 4
宽度 1.4mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
源极击穿电压 +/- 8 V
连续漏极电流 4.4 A
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 35 mOhms at 4.5 V
功率耗散 960 mW
零件号别名 SI2305CDS-GE3
上升时间 20 ns
漏源击穿电压 8 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 20 ns
栅源电压（最大值） ?8 V
漏源导通电阻 0.035 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 8 V
弧度硬化 No
删除 Compliant
Continuous Drain Current Id :-5.8A
Drain Source Voltage Vds :-8V
On Resistance Rds(on) :28mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-4.5V
Threshold Voltage Vgs :-400mV
功耗 :960mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :-
Current Id Max :-5.8A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
