SI2307CDS-T1-GE3 Single P-Channel 30 V 88 mOhms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 3.5A
Rds（最大）@ ID，VGS 88 mOhm @ 3.5A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 6.2nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 340pF @ 15V
功率 - 最大 1.8W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 2.7 A
RDS -于 88@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 40 ns
典型关闭延迟时间 20 ns
典型下降时间 17 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 1100
最大漏源电压 30
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 88@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
包装高度 1.02(Max)
最大连续漏极电流 2.7
封装 Tape and_Reel
铅形状 Gull-wing
P（ TOT ） 1.8W
匹配代码 SI2307CDS
单位包 3000
标准的提前期 15 weeks
最小起订量 3000
极化 P-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
汽车 NO
我（D ） 2.7A
V（ DS ） 30V
R（ DS上） 0.088Ohm
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 3.5A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 88 mOhm @ 3.5A， 10V
FET型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 1.8W
漏极至源极电压（Vdss） 30V
输入电容（Ciss ） @ VDS 340pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS 6.2nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2307CDS-T1-GE3CT
漏极电流（最大值） 2.7 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?20 V
输出功率（最大） Not Required W
功率耗散 1.1 W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.088 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-23
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_ 漏源导通电压 30 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
连续漏极电流 2.7 A
删除 Compliant
晶体管极性 :P Channel
Continuous Drain Current Id :-2.7A
Drain Source Voltage Vds :-30V
On Resistance Rds(on) :138mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :20V
Threshold Voltage Vgs :-3V
Weight (kg) 0
Tariff No. 85412900
功耗 :1.1W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
