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UCS165XS 有非常低的启动电流（<5uA）和较低的起始电压，并且内含高压启动开关，与常规PWM IC 相比，可大限度地减少外部电路之启动功耗损失，同时又能保障启动速度最快，对VCC 脚位电容值的上限限制极低。
U74HC165是一个8位并行负载移位寄存器，具备互补串行输出的功能，且可直接覆盖负载数据输入和门控时钟输入，并可实现并行到串行的数据转换。
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UPC817BG-SMD4R-TG
一旦OVP 发生，功率管关闭，如果过电压解除，系统将在下一次上电后恢复正常工作。VCC 过压保护功能是自动恢复重启的保护。
待机时辅助线圈对VCC 电容充电电流较小，IC 静态功耗没有太大变化，因此导致待机进入burst mode 后，VCC 电容电压会在OFF time 中容易触碰VCCMIN，发生VCC自动重启误动作。
（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron *_Qg等。（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。
MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好；制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关电路；。
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9NM50G-TO252R-TG BC808L-SOT23.3R-25-TG LR9102G-SC59.5R-18-TG LM358G-SOP8R-2TW2G BC847G-SOT23.3R-B-TG 。
UPC1008G-LSOP4R-TG 2SC1815L-TO92B-Y-TG LD1117AG-TO252R-33-ATGQ UT8205AG-TSSOP8R-TG U74AHCT1G125G-SOT353R-TG 。
在开关电源中，如漏极开路电路，漏极原封不动地接负载，叫开路漏极，开路漏极电路中不管负载接多高的电压，都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。这就是MOS管做开关器件的原理（详细请关注作者其他MOS详解）。
LD1117AG-SOT223R-50-ATZ4GQ BC807G-SOT23.3R-25-TG 1N4148L-SOD123R-TG MC34063AG-SOP8R-1TG CD4069G-SOP14R-TG 。
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起始階段：IC 上电完毕后後，Vout=0，CS 為0， 起始頻率65kHz，PWM 开始工作， CS由Softstart 啟動，FB 为开路电压5.2V。
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